"vapeur par procédé chimique" - ترجمة من فرنسي إلى عربي

• الأبخرة الكيميائية

6.B.4 Fours pour le dépôt en phase vapeur par procédé chimique
6-باء-3 المكابس السوية الضغط 6-باء-4 أفران ترسيب الأبخرة الكيميائية

6.B.4 Fours pour le dépôt en phase vapeur par procédé chimique, conçus ou modifiés pour la densification des matières composites carbone-carbone.
6-باء-4 أفران ترسيب الأبخرة الكيميائية المصممة أو المعدلة لتكثيف مركبات الكربون - كربون.

6.B.4 Fours pour le dépôt en phase vapeur par procédé chimique, conçus ou modifiés pour la densification des matières composites carbone-carbone.
6-باء-4 أفران ترسيب الأبخرة الكيميائية المصممة أو المعدلة لتكثيف مركبات الكربون-كربون.

a. Équipements de production à < < commande par programme enregistré > > pour le dépôt en phase vapeur par procédé chimique (CVD), présentant les deux caractéristiques suivantes :
أ - معدات إنتاج الطلاء المعدني بترسيب الأبخرة الكيميائية " المحكومة ببرنامج مخزن " ، التي يتوفر فيها كل ما يلي:

a. Pour le dépôt en phase vapeur par procédé chimique (CVD) :
أ - للطلاء المعدني بترسيب الأبخرة الكيميائية:

d. Équipements de dépôt en phase vapeur par procédé chimique amélioré par plasma < < à commande par programme enregistré > > , comme suit :
د - معدات ترسيب الأبخرة الكيميائية بالبلازما المحسنة " المحكومة ببرنامج مخزن " ، على النحو التالي:

Fours pour le dépôt en phase vapeur par procédé chimique, conçus ou modifiés pour la densification des matières composites carbone-carbone.
6-باء-4 أفران ترسيب الأبخرة الكيميائية المصممة أو المعدلة لتكثيف مركبات الكربون-كربون.

Réacteurs de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique organo-métallique (MOCVD)...
3-باء-1-أ-2- مفاعلات ترسيب الأبخرة الكيميائية العضوية الفلزية ... 3-دال-1-

c. Dépôt en phase vapeur par procédé chimique assisté ou amélioré par plasma; et
(ج) الطلاء المعدني بترسيب الأبخرة الكيميائية بالبلازما المعززة أو بمساعدة البلازما؛ و

Le dépôt en phase vapeur par procédé chimique (CVD) comprend les procédés suivants : dépôt hors caisse à flux de gaz dirigé, dépôt en phase vapeur par procédé chimique pulsatoire, dépôt thermique par nucléation contrôlée (CNTD), dépôt en phase vapeur par procédé chimique amélioré par plasma ou assisté par plasma.
ملاحظة 1 الطلاء المعدني بترسيب الأبخرة الكيميائية يشمل العمليات التالية: الترسيب خارج الحشوة بتدفق الغاز الموجه، الطلاء المعدني بترسيب الأبخرة الكيميائية بالنبض، الطلاء الحراري بالتبلر المحكوم، عمليات الطلاء المعدني بترسيب الأبخرة الكيميائية المعززة بالبلازما أو بمساعدة البلازما.

a. Le dépôt en phase vapeur par procédé chimique (CVD) est un procédé de revêtement par recouvrement ou revêtement par modification de surface par lequel un métal, un alliage, un matériau < < composite > > , un diélectrique ou une céramique est déposé sur un substrat chauffé.
(أ) الطلاء المعدني بترسيب الأبخرة الكيميائية هو طلاء فوقي أو عملية طلاء لتعديل الأسطح يتم من خلالها ترسيب فلز أو أشابة أو " مركب " أو طبقة عازلة أو طبقة من الخزف فوق ركازة ساخنة.