"vapeur par procédé" - Translation from French to Arabic

    • الأبخرة
        
    6.B.4 Fours pour le dépôt en phase vapeur par procédé chimique UN 6-باء-3 المكابس السوية الضغط 6-باء-4 أفران ترسيب الأبخرة الكيميائية
    6.B.4 Fours pour le dépôt en phase vapeur par procédé chimique UN 6-باء-3 المكابس السوية الضغط 6-باء-4 أفران ترسيب الأبخرة الكيميائية
    Les techniques spécifiques de dépôt en phase vapeur par procédé physique par évaporation thermique (TE-PVD) sont les suivantes : UN والعمليات المحددة في ترسيب الأبخرة المادية بالتبخير الحراري هي كما يلي:
    6.B.4 Fours pour le dépôt en phase vapeur par procédé chimique UN 6-باء-3 المكابس السوية الضغط 6-باء-4 أفران ترسيب الأبخرة الكيميائية
    6.B.4 Fours pour le dépôt en phase vapeur par procédé chimique UN 6-باء-3 المكابس السوية الضغط 6-باء-4 أفران ترسيب الأبخرة الكيميائية
    6.B.4 Fours pour le dépôt en phase vapeur par procédé chimique UN 6-باء-3 المكابس السوية الضغط 6-باء-4 أفران ترسيب الأبخرة الكيميائية
    6.B.4 Fours pour le dépôt en phase vapeur par procédé chimique, conçus ou modifiés pour la densification des matières composites carbone-carbone. UN 6-باء-4 أفران ترسيب الأبخرة الكيميائية المصممة أو المعدلة لتكثيف مركبات الكربون - كربون.
    6.B.4 Fours pour le dépôt en phase vapeur par procédé chimique, conçus ou modifiés pour la densification des matières composites carbone-carbone. UN 6-باء-4 أفران ترسيب الأبخرة الكيميائية المصممة أو المعدلة لتكثيف مركبات الكربون-كربون.
    6.B.4 Fours pour le dépôt en phase vapeur par procédé chimique, conçus ou modifiés pour la densification des matières composites carbone-carbone. UN 6-باء-4 أفران ترسيب الأبخرة الكيميائية المصممة أو المعدلة لتكثيف مركبات الكربون-كربون.
    a. Équipements de production à < < commande par programme enregistré > > pour le dépôt en phase vapeur par procédé chimique (CVD), présentant les deux caractéristiques suivantes : UN أ - معدات إنتاج الطلاء المعدني بترسيب الأبخرة الكيميائية " المحكومة ببرنامج مخزن " ، التي يتوفر فيها كل ما يلي:
    a. Pour le dépôt en phase vapeur par procédé chimique (CVD) : UN أ - للطلاء المعدني بترسيب الأبخرة الكيميائية:
    d. Équipements de dépôt en phase vapeur par procédé chimique amélioré par plasma < < à commande par programme enregistré > > , comme suit : UN د - معدات ترسيب الأبخرة الكيميائية بالبلازما المحسنة " المحكومة ببرنامج مخزن " ، على النحو التالي:
    Fours pour le dépôt en phase vapeur par procédé chimique, conçus ou modifiés pour la densification des matières composites carbone-carbone. UN 6-باء-4 أفران ترسيب الأبخرة الكيميائية المصممة أو المعدلة لتكثيف مركبات الكربون-كربون.
    6.B.4 Fours pour le dépôt en phase vapeur par procédé chimique, conçus ou modifiés pour la densification des matières composites carbone-carbone. UN 6-باء-4 أفران ترسيب الأبخرة الكيميائية المصممة أو المعدلة لتكثيف مركبات الكربون-كربون.
    6.B.4 Fours pour le dépôt en phase vapeur par procédé chimique, conçus ou modifiés pour la densification des matières composites carbone-carbone. UN 6-باء-4 أفران ترسيب الأبخرة الكيميائية المصممة أو المعدلة لتكثيف مركبات الكربون-كربون.
    Réacteurs de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique organo-métallique (MOCVD)... UN 3-باء-1-أ-2- مفاعلات ترسيب الأبخرة الكيميائية العضوية الفلزية ... 3-دال-1-
    a. Dépôt en phase vapeur par procédé chimique pulsatoire; UN (أ) الطلاء المعدني النابض بترسيب الأبخرة الكيميائية؛ أو
    c. Dépôt en phase vapeur par procédé chimique assisté ou amélioré par plasma; et UN (ج) الطلاء المعدني بترسيب الأبخرة الكيميائية بالبلازما المعززة أو بمساعدة البلازما؛ و
    c. Équipements de production à < < commande par programme enregistré > > pour le dépôt en phase vapeur par procédé physique par faisceau d'électrons (EB-PVD), comportant des systèmes d'alimentation de plus de 80 kW et présentant l'une des caractéristiques suivantes : UN ج - معدات إنتاج ترسيب الأبخرة بالشعاع الإلكتروني " المحكومة ببرنامج مخزن " ، وتضم نظم لتوليد الطاقة الكهربائية يمكنها توليد أكثر من 80 كيلوواط، ويتوفر فيها أي مما يلي:
    Le dépôt en phase vapeur par procédé chimique (CVD) comprend les procédés suivants : dépôt hors caisse à flux de gaz dirigé, dépôt en phase vapeur par procédé chimique pulsatoire, dépôt thermique par nucléation contrôlée (CNTD), dépôt en phase vapeur par procédé chimique amélioré par plasma ou assisté par plasma. UN ملاحظة 1 الطلاء المعدني بترسيب الأبخرة الكيميائية يشمل العمليات التالية: الترسيب خارج الحشوة بتدفق الغاز الموجه، الطلاء المعدني بترسيب الأبخرة الكيميائية بالنبض، الطلاء الحراري بالتبلر المحكوم، عمليات الطلاء المعدني بترسيب الأبخرة الكيميائية المعززة بالبلازما أو بمساعدة البلازما.

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